| 发明名称 | 亚微米级掩模版的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种亚微米级掩模版的制造方法，包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成金属层；通过聚焦离子束扫描在金属层上形成掩膜图形；通过粘合层将第二基底固定在形成有掩膜图形的金属层的上面；除去所述牺牲层和所述第一基底；通过聚焦离子束对所述掩膜图形进行修正。在本发明提供的亚微米级掩模版的制造方法中，聚焦离子束分别从金属层的相对两侧加工掩膜图形，从而改善了亚微米级掩模版的掩膜质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104345548A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310330563.2 | 申请日期 | 2013.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘尧 |
| 分类号 | G03F1/74(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/74(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成金属层；通过聚焦离子束扫描在金属层上形成掩膜图形；通过粘合层将第二基底固定在形成有掩膜图形的金属层的上面；除去所述牺牲层和所述第一基底；通过聚焦离子束扫描对所述掩膜图形进行修正。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||