发明名称 |
硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及一种硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池,自下至上包括Si底电池、In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N第一电池和In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N第二电池;所述底电池的p-Si层上面至第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层,第一电池和第二电池之间有隧道结,其特点是:所述底电池衬底下面制有负电极;第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。本发明由于在底电池衬底下面直接蒸镀负电极,简化了工艺,降低了成本,还可当做反射镜使用,充分利用了太阳光谱、电池总转换效率可达40%以上;通过蒸镀半透明电流扩展层,加强了正电极对载流子的收集,提高了电池的抗辐射能力,延长了电池的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN104347747A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310335019.7 |
申请日期 |
2013.08.01 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
张启明;王帅;高鹏;吴艳梅;刘如彬;孙强;肖志斌 |
分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
硅电池上生长氮镓铟系的三结太阳能电池,自下至上包括Si底电池、In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N第一电池和In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N第二电池,Si底电池由n‑Si衬底和p‑Si层构成;所述p‑Si层上面至In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层,In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N第一电池和In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N第二电池之间有隧道结,其特征在于:所述n‑Si衬底下面制有负电极;所述In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。 |
地址 |
300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号 |