发明名称 |
一种应用于高频声表面波器件划片工艺的静电消除结构 |
摘要 |
本实用新型提供的应用于高频声表面波器件划片工艺的静电消除结构,包括晶圆和若干个高频声表面波器件;高频声表面波器件包括正电荷汇流条和负电荷汇流条,高频声表面波器件并排相邻设置在该晶圆上,相邻的两个高频声表面波器件中,一高频声表面波器件的正电荷汇流条与另一高频声表面波器件的负电荷汇流条相邻设置,且该正电荷汇流条与该负电荷汇流条之间连接第一金属导线;最左端和最优端的两个高频声表面波器件分别用第一金属导线连接其高频声表面波器件内的正电荷汇流条与负电荷汇流条。能有效地消除高频声表面波器件产生的静电,解决现有技术中缺乏解决高频声表面波器件中静电烧伤问题结构的缺陷。 |
申请公布号 |
CN204155930U |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201420700143.9 |
申请日期 |
2014.11.20 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
发明人 |
金中;李磊;李燕;杨正兵;刘娅;何西良;曾祥君;唐代华;曹亮 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01)I;H01L41/053(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 |
重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 |
代理人 |
李明 |
主权项 |
一种应用于高频声表面波器件划片工艺的静电消除结构,其特征在于,包括晶圆和若干个高频声表面波器件;高频声表面波器件包括正电荷汇流条和负电荷汇流条,高频声表面波器件并排相邻设置在该晶圆上,相邻的两个高频声表面波器件中,一高频声表面波器件的正电荷汇流条与另一高频声表面波器件的负电荷汇流条相邻设置,且该正电荷汇流条与该负电荷汇流条之间连接第一金属导线;最左端和最右端的两个高频声表面波器件分别用第一金属导线连接其高频声表面波器件内的正电荷汇流条与负电荷汇流条。 |
地址 |
400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 |