| 发明名称 | 太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102460656B | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN200980159654.6 | 申请日期 | 2009.06.02 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 新延大介;西村邦彦;松野繁 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 崔成哲 |
| 主权项 | 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：凹部形成工序，在半导体基板上形成凹部；第2导电类型半导体层形成工序，在第1导电类型的所述半导体基板的表面形成作为包含第2导电类型的杂质的半导体层的第2导电类型半导体层；以及表面处理工序，通过使渗入了蚀刻液的化学溶液保持体接触到所述半导体基板的形成了所述凹部的面侧的与所述凹部对应的区域以外的区域，对所述半导体基板的与所述凹部对应的区域以外的区域提供所述蚀刻液，进行表面处理，使得成为与所述凹部相比所述杂质为低浓度的表面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||