制造具有掩埋栅极的半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区域和周边区域的衬底；在周边区域中的衬底上选择性地形成栅极导电层，在其上形成有栅极导电层的衬底上形成密封层，在密封层上形成绝缘层以覆盖衬底上形成有栅极导电层的衬底，平坦化绝缘层以暴露在栅极导电层上形成的密封层，和在单元区域中形成多个塞，所述多个塞穿透绝缘层和密封层。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括单元区域和周边区域的衬底；通过选择性地蚀刻在所述单元区域中的所述衬底来形成多个沟槽；在所述多个沟槽中形成多个掩埋栅极；在所述单元区域中形成所述多个掩埋栅极之后，在所述周边区域中的所述衬底上选择性地形成栅极导电层；在其上形成有所述栅极导电层的所述衬底上形成密封层；在所述密封层上形成绝缘层以覆盖在其上形成有所述栅极导电层的所述衬底；平坦化所述绝缘层以暴露出在所述栅极导电层上形成的所述密封层；和在所述单元区域中形成多个塞，所述多个塞穿透所述绝缘层和所述密封层，其中选择性地形成栅极导电层包括：在包括所述单元区域和所述周边区域的所述衬底上形成所述栅极导电层；和蚀刻在所述单元区域中的所述栅极导电层。