发明名称 |
功率器件的铝插塞制作方法 |
摘要 |
本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法,包括下列步骤:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积绝缘层;在所述绝缘层上沉积钝化层;分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔;在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层;在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞,其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明提出的功率器件的铝插塞制作方法,其能够有效降低生产成本,并且具有良好的电阻特性。 |
申请公布号 |
CN102024747B |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN200910195581.8 |
申请日期 |
2009.09.11 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
发明人 |
敖良科;邢进;刘晓丽;陈泰江 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种功率器件的铝插塞制作方法,包括下列步骤:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积绝缘层;在所述绝缘层上沉积钝化层;分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔,包括:对钝化层进行干法蚀刻,直到露出绝缘层,形成上宽下窄的开口,从而定义杯型接触孔的顶部宽度;对暴露出的绝缘层表面进行湿法蚀刻,定义杯型接触孔的顶部深度;继续对绝缘层进行干法蚀刻直到露出半导体衬底,并定义杯型接触孔的底部宽度;对暴露出的半导体衬底进行蚀刻,从而定义杯型接触孔的底部深度;在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层;在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞,其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |