| 发明名称 | 制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极和用于形成金属栅极的填充开口，所述半导体衬底上还形成有包围所述伪栅极和所述填充开口的层间介电层；在所述伪栅极和所述层间介电层上以及所述填充开口内形成金属层；执行化学机械研磨工艺去除所述填充开口以外的所述金属层，以形成所述金属栅极；以及使用有机碱性溶液执行清洗工艺以去除所述伪栅极表面的研磨残留物。通过在执行化学机械研磨工艺以形成金属栅极之后，采用有机碱性溶液对半导体器件表面进行清洗可以有效去除粘附在伪栅极表面的研磨残留物，进而避免这些研磨残留物成为后续工艺的缺陷源，并避免阻碍后续工艺去除伪栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103094210B | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201110333935.8 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 蒋莉;黎铭琦;朱普磊;曹均助 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极和用于形成金属栅极的填充开口，所述半导体衬底上还形成有包围所述伪栅极和所述填充开口的层间介电层；b)在所述伪栅极和所述层间介电层上以及所述填充开口内形成金属层；c)执行化学机械研磨工艺去除所述填充开口以外的所述金属层，以形成所述金属栅极；以及d)使用有机碱性溶液执行清洗工艺以去除所述伪栅极表面的研磨残留物，其中，所述有机碱性溶液为三乙胺溶液、吡啶溶液、环己胺溶液、苯胺溶液、N,N‑二甲基苯胺溶液和哌啶溶液中的一种或多种，以避免碱性过强对所述金属栅极造成损坏，碱性过小无法将研磨残留物去除干净。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||