一种晶体硅片及其扩散方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅片的扩散方法，包括如下步骤：(1)将晶体硅片进行制绒、清洗；(2)进行恒定源扩散，炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气，扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变；(3)去除杂质玻璃，清洗；(4)进行限定源扩散，扩散过程中只通入氮气和氧气，且氮气和氧气流量保持不变；(5)扩散结束，取出硅片；所述硅片的表面掺杂浓度为1×10²⁰~5×10²⁰atom/cm³；其PN结的结深为0.5~1微米。本发明的扩散方法有效的降低了因表面掺杂浓度高导致的“死层”效应，减少了表面光生载流子的俄歇复合，提高少子寿命。

主权项

一种晶体硅片的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将晶体硅片进行制绒、清洗；(2) 将上述晶体硅片进行恒定源扩散，炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气，扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变；(3) 将上述恒定源扩散之后的硅片去除杂质玻璃，清洗；(4) 将上述硅片进行限定源扩散，扩散过程中只通入氮气和氧气，且氮气和氧气流量保持不变；(5) 扩散结束，取出硅片；所述硅片的表面掺杂浓度为1×10²⁰ ~5×10²⁰ atom/cm³；其PN结的结深为0.5~1微米；所述步骤(2)中，所述恒定源扩散为变温扩散，扩散温度由840℃~860℃降至800℃~820℃，扩散时间为10~30 min。