一种提高GAN基LED发光效率的外延生长方法

摘要

本发明公开了一种有效提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，该方法是在传统的GaN基LED结构：衬底上的缓冲层、uGaN层、nGaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p型GaN、接触层的基础上，在n型电流扩散层和n型空间层之间加入一步表面处理的程序，将从衬底和GaN界面延伸至电流扩散层的缺陷以及应力进行破坏和释放，之后再通过生长条件的控制将材料的表面恢复平整，然后再生长量子阱有源区。结果表明，和传统的生长技术相比，这样生长的量子阱受缺陷和应力的影响较小，能有效的提高样品的发光强度。本发明适用于蓝绿光波段的GaN基LED的外延生长。

主权项

一种提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，该方法包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u‑GaN层、n型GaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p‑GaN、接触层，其特征在于：在n型电流扩展层生长结束时先通入具有表面处理作用的气体SiH4进行表面处理形成表面处理层，然后再通过生长条件的控制将表面恢复平整形成n型表面恢复层。