| 发明名称 | 多层配线基板及其制造方法与半导体制品 | ||
| 摘要 | 本发明公开了多层配线基板及其制造方法与半导体制品。该多层配线基板包括：形成在绝缘层的一个表面上的沟槽，该沟槽的深度比绝缘层的厚度浅；以及被施加到沟槽的铜镀。另外，该半导体制品包括该多层配线基板。 | ||
| 申请公布号 | CN104349580A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410337330.X | 申请日期 | 2014.07.15 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 稻冈俊幸;浦辻淳广 |
| 分类号 | H05K1/02(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I | 主分类号 | H05K1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种多层配线基板，包括：沟槽，形成在绝缘层的一个表面上，所述沟槽的深度比所述绝缘层的厚度浅；以及铜镀，被施加到所述沟槽。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||