发明名称 磁体组件及其制造方法
摘要 本发明涉及一种超导磁体组件及其制造方法。该超导磁体组件包括用来产生静磁场的超导磁体、用来屏蔽所述超导磁体的铁轭及用来产生梯度磁场的磁性梯度线圈组件。该超导磁体组件进一步包括一个或多个磁性层状元件,其设置于所述铁轭上用来减少所述梯度磁场在所述铁轭上感应的电涡流。该一个或多个磁性层状元件以一层以上的形式设置于所述铁轭的内表面上,该一层以上中的至少一层包括一个以上的磁性层状元件,一个或多个非磁性间隙形成于所述至少一层上的相邻的磁性层状元件间。此外,本发明还涉及一种用来制造所述超导磁体组件方法。
申请公布号 CN102403081B 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201010289866.0 申请日期 2010.09.17
申请人 通用电气公司 发明人 武安波;赵燕;杨潮;伊万格拉斯·T·拉斯卡里斯;黄先锐
分类号 H01F6/00(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I 主分类号 H01F6/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种超导磁体组件,包括:超导磁体,其用来产生静磁场;铁轭,其用来屏蔽所述超导磁体;磁性梯度线圈组件,其用来产生梯度磁场;及一个或多个磁性层状元件,其设置于所述铁轭上用来减少所述梯度磁场在所述铁轭上感应的电涡流;所述一个或多个磁性层状元件以一层以上的形式设置于所述铁轭的内表面上,所述一层以上中的至少一层包括一个以上的磁性层状元件,一个或多个非磁性间隙形成于所述至少一层上的相邻的磁性层状元件间。
地址 美国纽约州