等离子体引入损伤的测试结构

摘要

本实用新型提供一种等离子体引入损伤的测试结构，至少包括：MOS晶体管、第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫和第四焊垫；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极和衬底；所述MOS晶体管的栅极与所述第一焊垫电连接，所述MOS晶体管的源极与所述第二焊垫电连接，所述MOS晶体管的漏极与所述第三焊垫电连接，所述MOS晶体管的衬底与所述第四焊垫电连接。将MOS晶体管的栅极直接与第一焊垫相连接，将所述第一焊垫作为收集电荷的天线，不需要额外再在切割道中的相邻焊垫之间设置天线结构，可以通过调节所述MOS晶体管的尺寸和所述MOS晶体管栅极相连接的焊垫的形状与边界，以得到不同所需天线比率的测试结构。

主权项

一种等离子体引入损伤的测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：MOS晶体管、第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫和第四焊垫；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极和衬底；所述MOS晶体管的栅极与所述第一焊垫电连接，所述MOS晶体管的源极与所述第二焊垫电连接，所述MOS晶体管的漏极与所述第三焊垫电连接，所述MOS晶体管的衬底与所述第四焊垫电连接。