| 发明名称 | 提高静态随机存储器读出冗余度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法。所述静态随机存储器包括输入/输出器件以及核心器件，并且其中所述核心器件包括控制管器件，所述输入/输出器件用于芯片与外围电路的信号输入及输出，并且所述输入/输出器件的栅极氧化层的厚度大于核心器件的栅极氧化层的厚度。所述提高静态随机存储器读出冗余度的方法包括：使控制管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度。可使控制管器件的栅极氧化层的厚度等于输入/输出器件的栅极氧化层的厚度。例如，在制备控制管器件的栅极氧化层时，不移除之前生长的用于输入/输出器件的栅极氧化层，使得控制管器件最终采用输入/输出器件的栅极氧化层作为其栅极氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN102637691B | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201210137953.3 | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 俞柳江 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;G11C11/412(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，所述静态随机存储器包括输入/输出器件以及核心器件，并且其中所述核心器件包括控制管器件，所述输入/输出器件用于芯片与外围电路的信号输入及输出，并且所述输入/输出器件的栅极氧化层的厚度大于除控制管器件之外的其它核心器件的栅极氧化层的厚度，其特征在于所述提高静态随机存储器读出冗余度的方法包括：使控制管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度，所述使控制管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度的步骤包括：在制备控制管器件的栅极氧化层时，不移除之前生长的用于输入/输出器件的栅极氧化层，使得控制管器件最终采用输入/输出器件的栅极氧化层作为其栅极氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||