| 发明名称 |
半导体装置及其形成方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI473171 |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
| 申请号 |
TW101111998 |
申请日期 |
2012.04.05 |
| 申请人 |
中国台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈祈铭;喻中一;黄和涌 |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L21/316;H01L21/318 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一基板；一第一介电层，设置于该基板上；一缓冲层，设置在该基板上且在该第一介电层的一沟槽的一第一侧壁及一第二侧壁之间；一绝缘层，设置在该缓冲层上且在该第一介电层的该沟槽的该第一侧壁及该第二侧壁之间；一第二介电层，设置在该第一介电层及该绝缘层上；以及一鳍状结构，设置在该绝缘层上，且介于该第二介电层的一沟槽的一第一侧壁及一第二侧壁之间。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
