| 发明名称 | 闸极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI473146 | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | TW101134182 | 申请日期 | 2012.09.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 廖政华;谢荣裕;杨令武 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种半导体装置的闸极结构，包括：基底；第一介电层，配置在所述基底上；第一导体层，配置在所述第一介电层上；沟渠，位在所述第一介电层及所述第一导体层旁，其中所述沟渠具有宽度与第一侧壁；第二介电层，沿所述第一侧壁而配置，其中所述第二介电层具有厚度；第三介电层，填满所述沟渠之剩下的开口部分；第四介电层，配置在所述第一导体层、所述第二介电层及所述第三介电层上；以及第二导体层，配置在所述第四介电层上，其中所述厚度与所述宽度的比例为约5%到约15%。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||