| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一介电材料其具有一介电常数为约4.0或以下、并位于一基板之上，该介电材料于其中具有至少一开口；一扩散阻障位于该至少一开口中；一冗余扩散阻障层包括钌(Ru)与一含钴材料，其系位于该至少一开口中之该扩散阻障之上；以及一导电材料位于该至少一开口中之冗余扩散阻障之上，其中该扩散阻障、该冗余扩散阻障层、以及该导电材料各具有一上表面其系与该介电材料之一上表面共平面，其中该冗余扩散阻障层系选自以下项目所组成之群组：一双层结构，包括一由钌构成之上层以及包括至少该含钴材料之一下层、一单层结构，包括一浓度呈梯度(gradient)的钌，系从一较低之含钴表面向上增加、及一多层结构，包括多于两层之交叠钌层与含钴层。 |
