| 发明名称 | 掩膜版及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掩膜版及其制造方法。所述掩膜版包括第一相移层，本体及第二相移层；所述第一相移层和第二相移层分列于所述本体的两侧，且所述第一相移层和第二相移层的图形的形状和位置具有小于等于5%的误差。与现有技术相比，在本发明提供的掩膜版及其制造方法中，在本体的两侧分别形成第一相移层和第二相移层，所述第一相移层和第二相移层基本相同，那么当进行曝光工艺时，光经过掩膜版后会进行两次干涉相消，从而大大的降低了衍射光的影响，提高了曝光的准确性和显影成功率。 | ||
| 申请公布号 | CN104345545A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310324010.6 | 申请日期 | 2013.07.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 金普楠 |
| 分类号 | G03F1/26(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/26(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种掩膜版，包括：第一相移层，本体及第二相移层；其中，所述第一相移层和第二相移层分列于所述本体的两侧，且所述第一相移层和第二相移层的图形的形状和位置具有小于等于5%的误差。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||