不同结构的深沟槽平坦化方法

摘要

本发明公开了一种不同结构的深沟槽平坦化方法，包括：1）在硅衬底上，淀积一层阻挡层；2）在阻挡层上淀积光刻胶，显影后，刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底；3）在硅衬底上，刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形；4）利用选择性外延生长，进行硅的深沟槽填充；5）在硅片上淀积一层多晶硅埋层，覆盖整个硅片表面；6）将位于阻挡层上方的多晶硅去除。本发明具有以下势：1）可有效保护阻挡层，增加工艺窗口；2）可利用多晶硅至阻挡层的膜层转换，利用终点检测方式更精确的控制工艺；3）表面形貌均匀，可以避免缺陷产生，提高良率。

主权项

一种不同结构的深沟槽平坦化方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上，淀积一层阻挡层；2）在阻挡层上淀积光刻胶，显影后，刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底；3）在硅衬底上，刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形；4）利用选择性外延生长，进行硅的深沟槽填充；5）在硅片上淀积一层多晶硅埋层，覆盖整个硅片表面；6）将位于阻挡层上方的多晶硅去除。