外延结构及其形成方法

摘要

本发明的一个实施例是一种方法，该方法包括在衬底上的沟槽中外延生长第一III-V族化合物半导体，且在腔室中实施外延生长。第一III-V族化合物半导体具有包括小平面的第一表面。在外延生长之后，蚀刻第一III-V族化合物半导体的第一表面以形成第一III-V族化合物半导体的改性表面。在腔室中原位实施蚀刻第一表面。在第一III-V族化合物半导体的改性表面上外延生长第二III-V族化合物半导体。可以在MOCVD腔室中实施第一III-V族化合物半导体的外延生长，且可以使用HCl气体进行蚀刻。本发明还公开了通过该方法形成的结构。

主权项

一种方法，包括：形成具有沟槽的衬底，所述沟槽由隔离区域限定；在所述沟槽中外延生长第一III‑Ⅴ族化合物半导体，所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体具有第一表面；蚀刻所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体的所述第一表面，以形成所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体的改性表面；以及在所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体的所述改性表面上外延生长第二III‑Ⅴ族化合物半导体。