鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有牺牲层；在所述半导体衬底表面形成第一侧墙，所述第一侧墙位于牺牲层两侧；在所述半导体衬底表面形成第二侧墙，所述第二侧墙位于形成有第一侧墙的牺牲层两侧；去除牺牲层；刻蚀第一侧墙或第二侧墙，使得相邻第一侧墙的距离与相邻第二侧墙的距离相等；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底形成鳍部；去除位于鳍部表面的第一侧墙及第二侧墙。本发明形成的鳍式场效应管具有较小宽度的鳍部，鳍部的宽度与第一侧墙及第二侧墙的宽度之和相同，且鳍部顶端两侧的圆滑度一致，形成的鳍式场效应管性能得到提高。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有牺牲层；在所述半导体衬底表面形成第一侧墙，所述第一侧墙位于牺牲层两侧；在所述半导体衬底表面形成第二侧墙，所述第二侧墙位于形成有第一侧墙的牺牲层两侧；去除牺牲层；测量相邻第一侧墙的距离为第一宽度，测量相邻第二侧墙的距离为第二宽度；若所述第一宽度与第二宽度不相等，对应刻蚀第一侧墙或第二侧墙，直至第一宽度与第二宽度相等；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底形成鳍部；去除位于鳍部表面的第一侧墙及第二侧墙。