导电插塞的形成方法

摘要

一种导电插塞的形成方法，包括：提供形成有源极和漏极的基底，在基底上形成具有开口的第一层间介质层，在开口内填充金属层，金属层还覆盖第一层间介质层表面，对金属层进行化学机械抛光至第一层间介质层形成金属栅极，所述第一层间介质层表面具有化学机械抛光残留物；刻蚀部分厚度的第一层间介质层以去除残留物；在剩余的第一层间介质层和金属栅极表面形成第二层间介质层；在第二层间介质层和第一层间介质层内形成位于源极上的源极通孔、位于漏极上的漏极通孔；在源极通孔、漏极通孔内填充导电层形成源极导电插塞、漏极导电插塞。采用本发明的方法可以减小基底上的导电插塞的失效密度，进而提高后续形成的半导体器件的性能。

主权项

一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有源极和漏极的基底，在所述基底上形成具有开口的第一层间介质层，在所述开口内填充金属层，所述金属层还覆盖所述第一层间介质层表面，对所述金属层进行化学机械抛光至所述第一层间介质层形成金属栅极，所述第一层间介质层表面具有化学机械抛光残留物；刻蚀部分厚度的第一层间介质层以去除所述残留物；在剩余的所述第一层间介质层和所述金属栅极表面形成第二层间介质层；在所述第二层间介质层和所述第一层间介质层内形成位于源极上的源极通孔、位于漏极上的漏极通孔；在所述源极通孔、漏极通孔内填充导电层形成源极导电插塞、漏极导电插塞。