抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区，沟道区，漏区，半导体衬底区，位于沟道区上方的栅介质层，以及位于栅介质层之上的控制栅；所述的沟道区位于隧穿源区上方且位置与隧穿源区部分重叠，在沟道区与隧穿源区界面处形成隧穿结；所述漏区与沟道区平行，位于沟道区的另一侧；所述控制栅位于沟道区与隧穿源区重叠部分的上方，而在靠近漏区附近的沟道区存在一个没有控制栅覆盖的区域；并且，所述沟道区选用能态密度低于1E18cm^-3的半导体材料。该隧穿场效应晶体管可以有效抑制器件输出特性中的非线性开启现象，并保持了较陡直的亚阈值斜率。

主权项

一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区(5)，沟道区(6)，漏区(9)，半导体衬底区(1)，位于沟道区上方的栅介质层(7)，以及位于栅介质层之上的控制栅(8)；其特征是，所述的沟道区(6)位于隧穿源区(5)上方且位置与隧穿源区(5)部分重叠，在沟道区(6)与隧穿源区(5)界面处形成隧穿结；所述漏区(9)与沟道区(6)平行，位于沟道区(6)的另一侧；所述控制栅(8)位于沟道区(6)与隧穿源区(5)重叠部分的上方，而在靠近漏区(9)附近的沟道区(6)存在一个没有控制栅覆盖的区域；并且，所述沟道区(6)选用能态密度低于1E18cm^‑3的半导体材料。