| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中在制造半导体装置的方法中，提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底以及形成在衬底表面上的鳍片式缓冲层，在所述鳍片式缓冲层的表面上形成量子阱材料层，在量子阱材料层上形成势垒材料层，其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气。从而能够实现在改进短沟道效应的同时，保证了半导体装置的高迁移率。另外，根据本发明，可以改善半导体装置的热耗散，从而提高了装置的性能和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN104347408A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310327038.5 | 申请日期 | 2013.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底以及形成在衬底表面上的鳍片式缓冲层；在所述鳍片式缓冲层的表面上形成量子阱材料层；以及在量子阱材料层上形成势垒材料层；其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||