| 发明名称 | 氮化物半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 半导体发光装置(300)具有：在表面有极性面或半极性面的氮化物半导体基板(201)上层叠氮化物半导体多层膜的氮化物半导体发光元件(310)；和搭载该元件的搭载部(311)。氮化物半导体多层膜包含电子阻挡层(204)。电子阻挡层的晶格常数小于氮化物半导体基板的晶格常数。搭载部至少具有第1搭载部基材(311a)。第1搭载部基材位于搭载氮化物半导体发光元件一侧。第1搭载部基材的热膨胀系数小于氮化物半导体多层膜的热膨胀系数。第1搭载部基材的热传导率大于氮化物半导体多层膜的热传导率。 | ||
| 申请公布号 | CN104350651A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201380025414.3 | 申请日期 | 2013.04.04 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 左文字克哉;山中一彦;吉田真治;萩野裕幸 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/022(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 薛凯 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，具有：具有在表面有极性面或半极性面的氮化物半导体基板上层叠氮化物半导体多层膜的构成的氮化物半导体发光元件；和搭载所述氮化物半导体发光元件的搭载部，所述氮化物半导体多层膜包含电子阻挡层，所述电子阻挡层的晶格常数小于所述氮化物半导体基板的晶格常数，所述搭载部至少具有第1搭载部基材，所述第1搭载部基材位于搭载所述氮化物半导体发光元件一侧，所述第1搭载部基材的热膨胀系数小于所述氮化物半导体多层膜的热膨胀系数，所述第1搭载部基材的热传导率大于所述氮化物半导体多层膜的热传导率。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||