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一种附黏着膜之半导体晶片的制造方法，包括：准备积层体的步骤，上述积层体是依序将半导体晶圆、半导体用黏着膜以及切割保护胶带加以积层而成，上述半导体用黏着膜具有1μm~15μm范围的厚度且具有小于5%的拉伸断裂伸长率，此拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110%，并且上述半导体晶圆具有改质部，上述改质部是藉由照射雷射光而形成并用来将上述半导体晶圆分割成多个半导体晶片；将上述切割保护胶带朝着上述多个半导体晶片相互分离的方向进行拉伸，在不分割上述半导体用黏着膜的情况下将上述半导体晶圆分割成上述多个半导体晶片的步骤；以及将上述多个半导体晶片分别朝着上述积层体的积层方向拾取，藉此将上述半导体用黏着膜加以分割而获得附黏着膜之半导体晶片的步骤。 |
