| 发明名称 | 荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置，所述荧光体的表面处理方法在(Sr,Ca)AlSiN<sub>3</sub>氮化物荧光体中、能够使其耐湿可靠性提高而不会使光学特性下降。进行浸渍工序和热处理工序，所述浸渍工序是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN<sub>3</sub>晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中(步骤1)；所述热处理工序是将浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时(步骤2)。 | ||
| 申请公布号 | CN104350127A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201380030222.1 | 申请日期 | 2013.06.04 |
| 申请人 | 电气化学工业株式会社 | 发明人 | 竹田豪;野野垣良三 |
| 分类号 | C09K11/08(2006.01)I;C09K11/64(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华;石磊 |
| 主权项 | 一种荧光体的表面处理方法，具有如下工序：浸渍工序，其是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN<sub>3</sub>晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中；热处理工序，其是将所述浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||