用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(II)前质体，该前质体以氨基嘧啶及其衍生物为配体，依以下方法制备：(1)将氨基密啶及其衍生物溶解在反应溶剂中，-78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，氨基嘧啶或其衍生物与烷基锂摩尔比1.0∶1.0～1.2，恢复室温继续搅拌至固体产生，过滤得到锂盐；(2)将步骤(1)得到的锂盐与甲苯混合，-78～0℃条件下以锂盐与金属锗摩尔比2.0∶1.0～1.2滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；(3)将步骤(2)得到的混合物过滤浓缩，滤渣用二氯甲烷提取，收集滤液，-50～0℃低温结晶，得到所述的氨基嘧啶Ge(II)前质体。本发明合成方法简单，制备的前质体热稳定性高，挥发性好，成膜性能优良，是制备相变存储材料潜在的重要前质体。

主权项

一种用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体，其特征在于，具有以下结构：其中R¹，R²，R³，R⁴表示氢原子(R¹除外)、C₁～C₆烷基、C₂～C₅链烯基、C₃～C₁₀环烷基、C₆～C₁₀芳基或—Si(R⁵)₃，其中R⁵为C₁～C₆烷基；R¹，R²，R³，R⁴相同或相异。