| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括半导体层；对所述半导体层进行图形化处理，直至形成上表面齐平的鳍部结构；在所述鳍部结构上表面的中部形成掩膜层；以所述掩膜层为掩模，对所述鳍部结构进行第一次各向异性刻蚀，直至所述鳍部结构暴露在外的上表面被蚀刻为曲面；去除所述掩膜层。所述形成方法工艺简单，工艺成本低，并且所形成的鳍式场效应晶体管不存在自加热效应严重的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104347415A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310338254.X | 申请日期 | 2013.08.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括半导体层；对所述半导体层进行图形化处理，直至形成上表面齐平的鳍部结构；在所述鳍部结构上表面的中部形成掩膜层；以所述掩膜层为掩模，对所述鳍部结构进行第一次各向异性刻蚀，直至所述鳍部结构暴露在外的上表面被蚀刻为曲面；去除所述掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||