具有高Ｑ晶圆背面电容之半导体积体电路装置

主权项

一种半导体元件，包括：一半导体基板，具有一前侧、一背侧与一埋式绝缘层插入至该基板之该前侧和该背侧之间；一积体电路，形成于该半导体基板之该前侧；一积体电容，形成于该半导体基板之该背侧，其中该积体电容包括一第一金属板、一第二金属板与置于该第一金属板与该第二金属板间之一介电质，且该第一金属板与该埋式绝缘层接触；以及一互连结构，系形成穿过该埋式绝缘层，以连接该积体电容至该积体电路。