非易失性电荷俘获存储器件和逻辑CMOS器件的集成

摘要

本发明描述了将非易失性存储器件集成到逻辑MOS流中的方法的实施例。一般而言，所述方法包括：在衬底的第一区域中，由覆盖衬底的表面的半导体材料形成存储器件的沟道，沟道连接存储器件的源极和漏极；在相邻于沟道的多个表面的沟道上方形成电荷俘获介质堆栈，其中，电荷俘获介质堆栈包括在隧穿层上方的电荷俘获层上的阻挡层；以及在衬底的第二区域上方形成MOS器件。

主权项

一种方法，包括：在衬底的第一区域，由覆盖所述衬底的表面的半导体材料形成存储器件的沟道，所述沟道连接所述存储器件的源极和漏极；在相邻于所述沟道的多个表面的所述沟道上方，形成电荷俘获介质堆栈，其中所述电荷俘获介质堆栈包括阻挡层，所述阻挡层在隧穿层上方的电荷俘获层上；以及在所述衬底的第二区域上方，形成MOS器件。