发明名称 半导体装置及其控制方法
摘要 本公开涉及半导体装置及其控制方法。第一和第二处理单元执行二进制程序。温度传感器测量第一处理单元的温度。当由温度传感器测量到的温度超出第一值时,温度检测单元输出第一中断指令。总线在第一和第二处理单元之间交换数据。响应于第一中断指令,控制单元中断第一处理单元中的执行,将继续二进制程序的执行所需的第一数据从第一处理单元迁移到第二处理单元,并且控制第二处理单元以继续二进制程序在第二处理单元中的执行。在第一数据迁移到第二处理单元后,电源控制单元中断向第一处理单元的供电。
申请公布号 CN104346164A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201410386950.2 申请日期 2014.08.08
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 福岡一樹;大津賀一雄
分类号 G06F9/44(2006.01)I 主分类号 G06F9/44(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 冯玉清
主权项 一种半导体装置,包括:执行二进制程序的第一处理单元;能够执行与由所述第一处理单元执行的所述二进制程序相同的二进制程序的第二处理单元;测量所述第一处理单元的温度的温度传感器;当由所述温度传感器测量到的所述温度超出第一值时输出第一中断指令的温度检测单元;在所述第一处理单元和所述第二处理单元之间交换数据的总线;控制单元,其响应于所述第一中断指令,中断所述第一处理单元中的执行,将第一数据从所述第一处理单元迁移到所述第二处理单元,并且控制所述第二处理单元以继续所述二进制程序的执行,所述第一数据是继续所述二进制程序的执行所需的;以及在所述第一数据迁移到所述第二处理单元之后阻止向所述第一处理单元供电的电源控制单元。
地址 日本神奈川