| 发明名称 | 鳍形场效晶体管器件和形成鳍形场效晶体管器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种鳍形场效晶体管器件和一种形成鳍形场效晶体管器件的方法，所述鳍形场效晶体管器件可以包括位于鳍形结构中的可以提供用于鳍形场效晶体管器件的沟道区的高迁移率半导体材料。源区/漏区凹进可以邻近于鳍形结构，包括高迁移率半导体材料的成分的渐变组分外延生长的半导体合金材料可以位于源极/漏极凹进中。 | ||
| 申请公布号 | CN104347716A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410370711.8 | 申请日期 | 2014.07.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 乔治·A·凯蒂;马克·S·罗德尔;罗伯特·C·鲍文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 尹淑梅;薛义丹 |
| 主权项 | 一种鳍形场效晶体管器件，所述鳍形场效晶体管器件包括：高迁移率半导体材料，在鳍形结构中，提供用于鳍形场效晶体管器件的沟道区；源极/漏极凹进，邻近于鳍形结构；以及渐变组分外延生长的半导体合金材料，在源极/漏极凹进中，包括高迁移率半导体材料的成分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||