飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法

摘要

本发明公开了一种利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，包括以下步骤：（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜；（2）利用飞秒激光作为光源，通过计算机精确控制样品台的位置，对磁性薄膜进行无掩膜辐照，得磁敏感微结构单元；其中，飞秒激光的参数为：单脉冲能量5～50µJ；脉冲宽度90～150fs；波长800nm；脉冲频率10～100Hz；样品台移动速度为60～500µm/min；在辐照时根据需要沿平行或垂直于磁性薄膜膜面方向施加0~500Oe的诱导磁场。本方法简单、高效、可控，且无需预先制造掩模。

主权项

利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，包括以下步骤：（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜； （2）利用飞秒激光作为光源，通过计算机精确控制样品台的位置，对磁性薄膜进行无掩膜辐照，得磁敏感微结构单元；其特征在于：衬底为单晶硅或玻璃；磁性层由单层或多层膜组成，其中，单层膜为磁记录膜或磁致伸缩膜；多层膜为铁磁/反铁磁双层膜或自旋阀结构多层膜或自旋隧道结结构多层膜；在第二步中样品台的移动速度为60～500µm/min；飞秒激光的参数为：单脉冲能量5～50µJ；脉冲宽度90～150fs；波长为800nm；脉冲频率10～100Hz；在辐照时根据需要沿平行或垂直于磁性薄膜膜面方向施加0~500Oe的诱导磁场；磁敏感微结构单元的形状为三角形、矩形、正六边形、圆形、椭圆形。