发明名称 具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法
摘要 一种具有存片槽的薄膜工艺系统,包括依次顺序连接的晶片存储单元、晶片传输腔体、真空送片腔、工艺腔,以及设置在所述晶片传输腔体和所述真空送片腔之间的真空存片腔。所述真空存片腔进一步包括具有与所述真空存片腔连通的泵抽单元,所述泵抽单元用于为所述真空存片腔提供真空氛围或者大气氛围,且在所述真空存片腔内活动设置所述存片槽。本发明所述具有存片槽的薄膜工艺系统通过增加具有活动设置存片槽的真空存片腔不仅有效的减少已工艺晶片存在风险的等候时间,并避免已经过薄膜工艺的晶片和待工艺晶片之间的相互影响,而且规避了潜在风险,提高了产品性能和品质。
申请公布号 CN102820245B 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201210292672.5 申请日期 2012.08.16
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 黄海
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种具有存片槽的薄膜工艺系统,其特征在于,所述具有存片槽的薄膜工艺系统包括依次顺序连接的晶片存储单元、晶片传输腔体、真空送片腔、工艺腔,以及设置在所述晶片传输腔体和所述真空送片腔之间的真空存片腔;晶片存储单元,所述晶片存储单元用于存储待工艺的晶片;真空存片腔,所述真空存片腔用于存储已经过薄膜工艺的晶片;晶片传输腔体,所述晶片传输腔体内设置大气传送装置,所述大气传送装置用于所述待工艺晶片在所述晶片存储单元和所述晶片传输腔体之间传送,以及所述已经过薄膜工艺的晶片在所述晶片存储单元与所述真空存片腔之间传送;真空送片腔,所述真空送片腔内进一步设置所述真空传送装置,所述真空传送装置用于所述待工艺晶片在所述晶片传送腔和所述工艺腔之间传送,以及所述已经过薄膜工艺的晶片在所述工艺腔和所述真空存片腔之间传送;真空存片腔,所述真空存片腔进一步包括具有与所述真空存片腔连通的泵抽单元,所述泵抽单元用于为所述真空存片腔提供真空氛围或者大气氛围,且在所述真空存片腔内活动设置所述存片槽。
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