| 发明名称 | 一种半导体器件以及制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层；图案化所述层间介质层以形成露出所述半导体衬底的接触孔；执行离子注入工艺，以在所述接触孔的底部形成离子注入区；在所述接触孔的底部露出的所述离子注入区的表面形成金属硅化物层。本发明提出了一种新的接触孔的制作方法，在形成接触孔的步骤和形成硅化物层的步骤之间增加了在接触孔的底部形成离子注入区的步骤，相当于在形成的接触孔中形成离子注入区，接着，在形成离子注入区之后在接触孔的底部离子注入的表面形成硅化物层，以避免降低硅化物层的击穿电压，减少器件的电阻率，而且整个工艺过程和现有工艺完全兼容，因此过程更加简单，降低了工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104347484A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310335597.0 | 申请日期 | 2013.08.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈金明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层；图案化所述层间介质层以形成露出所述半导体衬底的接触孔；执行离子注入工艺，以在所述接触孔的底部形成离子注入区；在所述接触孔的底部露出的所述离子注入区的表面形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||