发明名称 显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法
摘要 本显示装置包括:栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100),晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120),半导体层层叠在绝缘膜上,栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上;第一电容器部分(200),其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220),第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级,配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上,第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上,第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152);以及显示元件,构造为由晶体管部分控制。
申请公布号 CN104350532A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201380030166.1 申请日期 2013.05.15
申请人 索尼公司 发明人 津野仁志;永泽耕一
分类号 G09F9/30(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/22(2006.01)I 主分类号 G09F9/30(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 焦玉恒
主权项 一种显示装置,包括:晶体管部分,其包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层,该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上,该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧;第一电容器部分,包括第一金属膜和第二金属膜,该第一金属膜设置在与配线层相同的层级,该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上,该第二金属膜设置在该第一金属膜之上,该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜;以及显示元件,构造为由该晶体管部分控制。
地址 日本东京都