薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件

摘要

本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件。薄膜晶体管包括衬底、栅极、缓冲层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻停止层、源极和漏极。栅极被形成在衬底上。缓冲层部分地区覆盖栅极的两侧部分。栅极绝缘层覆盖栅极和缓冲层。有源层被形成在栅极绝缘层上。蚀刻停止层被形成在有源层上，并且具有位于有源层上的第一开口和第二开口。源极被形成在蚀刻停止层上，并且通过第一开口与有源层接触。漏极被形成在蚀刻停止层上，并且通过第二开口与有源层接触。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅极，设置在所述衬底上；缓冲层，部分地覆盖所述栅极的侧部分；栅极绝缘层，覆盖所述栅极和所述缓冲层；有源层，设置在所述栅极绝缘层上；蚀刻停止层，设置在所述有源层上，所述蚀刻停止层包括第一开口和第二开口；源极，设置在所述蚀刻停止层上，所述源极通过所述第一开口与所述有源层接触；以及漏极，设置在所述蚀刻停止层上，所述漏极通过所述第二开口与所述有源层接触。