| 发明名称 | 低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术领域，包括主料、副料、改性添加剂和烧结助剂，所述主料是CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>；所述的副料是BaZrO<sub>3</sub>；所述改性添加剂是MnO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、ZnO中的一种或几种；所述的烧结助剂是Li<sub>2</sub>O、CaO、MgO、SiO<sub>2</sub>、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一种或几种，其中，主料50～58wt%、副料21～26wt%、改性添加剂3～8wt%、烧结助剂12～22wt%。本发明提供一种低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法，有效提高品质因素，使得陶瓷能够在较低温度烧结下，保持良好介电性能的同时，拥有稳定的温度系数。 | ||
| 申请公布号 | CN104341144A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310331698.0 | 申请日期 | 2013.08.01 |
| 申请人 | 北京元六鸿远电子技术有限公司 | 发明人 | 陈仁政;宋蓓蓓;程华容;杨喻钦;杨魁勇 |
| 分类号 | C04B35/16(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人 | 戴凤仪 |
| 主权项 | 一种低温烧结C0G特性微波介质材料，包括主料、副料、改性添加剂和烧结助剂，其特征在于，所述主料是CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>；所述的副料是BaZrO<sub>3</sub>；所述改性添加剂是MnO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、ZnO中的一种或几种；所述的烧结助剂是Li<sub>2</sub>O、CaO、MgO、SiO<sub>2</sub>、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一种或几种，其中，主料50～58wt%、副料21～26wt%、改性添加剂3～8wt%、烧结助剂12～22wt%。 | ||
| 地址 | 102600 北京市大兴区生物医药产业基地天贵街1号 | ||