高转化效率抗PID多晶硅太阳能电池

摘要

本实用新型涉及多晶硅太阳能电池制造技术，具体是一种高转化效率抗PID多晶硅太阳能电池。该高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池包括有多晶硅衬底、沉积在多晶硅衬底上的氧化硅膜层、沉积在氧化硅膜层上的一层或多层氮化硅膜层、沉积在氮化硅膜层上的氮氧化硅膜层；所述氧化硅膜层的膜厚为1-10nm；所述一层或多层氮化硅膜层的总厚度为60nm-100nm、折射率为2.0-2.4；所述氮氧化硅膜层的膜厚为10nm-150nm、折射率为1.5-2.0。本实用新型能够提高晶体硅太阳能电池的转化效率，并且也具有抗PID的作用。

主权项

一种高转化效率抗PID多晶硅太阳能电池，其特征是：它包括有多晶硅衬底、沉积在多晶硅衬底上的氧化硅膜层、沉积在氧化硅膜层上的一层或多层氮化硅膜层、沉积在氮化硅膜层上的氮氧化硅膜层；所述氧化硅膜层的膜厚为1nm ‑10nm；所述一层或多层氮化硅膜层的总厚度为60nm‑100nm；所述氮氧化硅膜层的膜厚为10nm‑150nm。