| 主权项 |
一种电阻式记忆体单元，设于一基底上，包含有：至少一位元线，沿着第一方向延伸；至少一字元线，且沿着一第二方向延伸，与该位元线交叉；一硬遮罩层，直接位于该字元线上并且夹置于该字元线与该位元线之间；一第一记忆胞，设于该字元线的第一侧壁上，该第一记忆胞包含有：一第一侧壁型电阻转换层；一第一上电极，覆盖该第一侧壁型电阻转换层以及该硬遮罩层的第一侧壁，其中该字元线的第一侧壁系与该硬遮罩层的第一侧壁共平面；以及一第一二极体元件电耦合至该第一上电极；以及一第二记忆胞，设于该字元线的第二侧壁上，该第二记忆胞包含有：一第二侧壁型电阻转换层；一第二上电极，覆盖该第二侧壁型电阻转换层以及该硬遮罩层的第二侧壁，其中该字元线的第二侧壁系与该硬遮罩层的第二侧壁共平面；以及一第二二极体元件电耦合至该第二上电极。 |
