发光元件及其制造方法

摘要

公开了一种发光元件及其制造方法。该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。

主权项

一种发光元件制造方法，顺序地包括：(a)在用于制造发光元件的基板上形成具有凸部形状且由多层膜形成的第一光反射层；(b)通过在包括所述第一光反射层的所述用于制造发光元件的基板上层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体，所述第一化合物半导体层由GaN基化合物半导体形成且具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，所述活性层由GaN基化合物半导体形成并接触所述第一化合物半导体层的第二表面，所述第二化合物半导体层由GaN基化合物半导体形成并具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，其中所述第二化合物半导体层的第一表面接触所述活性层；(c)在所述第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将所述第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除所述用于制造发光元件的基板，并暴露出所述第一化合物半导体层的第一表面和所述第一光反射层；(f)蚀刻所述第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在所述第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。