存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器的制造方法。提供一基底，基底包括一存储胞区与一周边区，存储胞区形成多个第一栅极，第一栅极之间具有多个第一开口。于存储胞区的基底上形成一氮化层，氮化层覆盖第一栅极与第一开口。于周边区的基底上形成一氧化层。进行一氮化工艺，使氧化层被氮化成一氮化氧化层。于基底上形成一导体层，导体层包括位于存储胞区的基底上的一覆盖层，以及位于周边区的基底上的多个第二栅极，其中覆盖层覆盖氮化层且填满第一开口。

主权项

一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底包括一存储胞区与一周边区，该存储胞区形成多个第一栅极，所述多个第一栅极之间具有多个第一开口；于该存储胞区的该基底上形成一氮化层，该氮化层覆盖所述多个第一栅极与所述多个第一开口；于该周边区的该基底上形成一氧化层；进行一氮化工艺，使该氧化层被氮化成一氮化氧化层；以及于该基底上形成一导体层，该导体层包括位于该存储胞区的该基底上的一覆盖层，以及位于该周边区的该基底上的多个第二栅极，其中该覆盖层覆盖该氮化层且填满所述多个第一开口，其中在形成该氮化层之前，还包括于各该第一栅极的侧壁上形成一间隙壁，以及于各该第一栅极的两侧形成一源极与漏极区。