| 发明名称 |
藉由闸极介质堆叠的修正之临界电压调整 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI473250 |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
| 申请号 |
TW099111658 |
申请日期 |
2010.04.14 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
葛瑞尼布莱恩Ｊ;祖吉克麦克Ｐ;汉述仁;韩森威廉Ｋ;梁玥;马切耶夫斯基艾德华Ｐ;那明熙;诺瓦克爱德华Ｊ;余晓军 |
| 分类号 |
H01L27/085;H01L21/8232 |
主分类号 |
H01L27/085 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种半导体结构，其包含：一第一场效电晶体，其包括一第一闸极堆叠，其中该第一闸极堆叠自下而上包括：具有大于4.0之一介质常数的一第一高介质常数(高-k)闸极介质、一金属闸极部分、至少一个金属部分及一第一导电闸极材料部分；及一第二场效电晶体，其包括一第二闸极堆叠，其中该第二闸极堆叠自下而上包括：具有大于4.0之一介质常数的一第二高-k闸极介质、至少一个介质金属氧化物部分及一第二导电闸极材料部分，其中该第一场效电晶体与该第二场效电晶体具有不同临界电压。 |
| 地址 |
美国 |
