| 发明名称 |
半导体元件的制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI473166 |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
| 申请号 |
TW098130694 |
申请日期 |
2009.09.11 |
| 申请人 |
中国台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林益安;陈嘉仁;陈建豪;黄国泰;陈薏新;林志忠;林毓超 |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/28;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底前侧上之半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶矽层；以及于该基底背侧上之半导体基底的上方形成一第二多晶矽层，其中该第一及第二多晶矽层系同时形成。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
