基板处理装置及方法

摘要

公开了一种基板处理装置和方法，其用于改善在基板上沉积的薄膜的均匀性，并且控制薄膜的品质，其中，所述装置包括：处理腔室；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中所述基板支撑器设置在所述处理腔室的底部；面对所述基板支撑器的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述处理腔室的上侧；以及气体分配器，用于在其固定位置将活化的源气分配到所述基板上，其中所述气体分配器在其固定位置面对所述基板支撑器，所述气体分配器设置在所述腔室盖中，其中所述气体分配器通过使用等离子体形成气体来形成等离子体，并且通过将所述源气分配到用于形成等离子体的一部分等离子体区域来活化所述源气。

主权项

一种基板处理装置，包括：处理腔室；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中所述基板支撑器设置在所述处理腔室的底部；腔室盖，所述腔室盖面对所述基板支撑器，所述腔室盖用于覆盖所述处理腔室的上侧；以及气体分配器，用于在其固定位置将活化的源气分配到所述基板上，其中所述气体分配器被设置在所述腔室盖中，所述气体分配器在其固定位置面对着所述基板支撑器，其中，所述气体分配器通过使用等离子体形成气体来形成等离子体，并且通过将所述源气分配到用于形成所述等离子体的一部分等离子体区域中来活化所述源气。