| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层；沿所述开口刻蚀部分半导体衬底，在所述半导体衬底内形成凹槽；对所述开口两侧的掩膜层进行横向刻蚀，暴露出部分半导体衬底的表面；在所述凹槽内壁表面和部分暴露的半导体衬底表面形成衬垫氧化层，使所述凹槽顶部与半导体衬底表面连接的顶角呈圆弧状。在所述衬垫氧化层表面形成填充满所述凹槽的隔离层。所述方法能够提高形成的浅沟槽隔离结构的隔离效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104347473A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310337314.6 | 申请日期 | 2013.08.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蒲贤勇;陈轶群;陈宗高 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层；沿所述开口刻蚀部分半导体衬底，在所述半导体衬底内形成凹槽；沿半导体衬底表面方向，对所述开口两侧的掩膜层进行横向刻蚀，暴露出部分半导体衬底的表面；采用热氧化工艺，在所述凹槽内壁表面和部分暴露的半导体衬底表面形成衬垫氧化层，使所述凹槽侧壁与半导体衬底表面连接的顶角呈圆弧状；在所述衬垫氧化层表面形成填充满所述凹槽的隔离层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||