一种用真空镀膜制备黑色硼硅玻璃的方法

摘要

本发明公开了一种采用多腔室磁控溅射技术制备黑色硼硅玻璃的方法。该方法是先将玻璃在镀膜前进行清洗干净，然后通过传送装置送入真空镀膜设备的预抽室，随后进入配有大型钛铝磁控靶的溅射镀膜室。镀膜室内通入氩氮混合气体，磁控靶施加电压并产生辉光放电，在硼硅玻璃表面反应溅射沉积黑色TiAlN功能薄膜，通过镀膜后的退火处理进一步降低薄膜的内应力并提高膜基界面结合力。本发明提供的真空镀膜制备黑色硼硅玻璃的方法，可通过成份和放电特性的变化，调整薄膜黑度和透光度的变化，制备方法可操作性强，适合工业化批量生产加工。

主权项

一种采用多腔室连续式磁控溅射技术制备黑色硼硅玻璃的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：(1)将待镀膜硼硅玻璃送上传送带，通过传送带将所述待镀膜硼硅玻璃送至镀膜设备中的玻璃清洗线，利用玻璃清洗线对待镀膜硼硅玻璃进行清洗，然后风干；(2)经风干后的待镀膜硼硅玻璃通过传送带进入镀膜设备中的第一预抽室，第一预抽室预抽真空；(3)待镀膜硼硅玻璃从第一预抽室通过传送带送入镀膜设备中的至少一个镀膜室，所述至少一个镀膜室已抽真空至真空室内的真空度小于或等于5×10^‑3Pa；其中的第一镀膜室内充入氩氮混合气体，氩和氮气体均为高纯气体，氮气和氩气的比例为2:1，磁控靶施加电压并产生辉光放电，氩氮混合气体进行反应溅射沉积金属氮化物薄膜，靶电流调控在20A‑40A之间；所述待镀膜硼硅玻璃在镀膜室内匀速行进，即待镀膜硼硅玻璃从第一预抽室至少先进入第一镀膜室，沉积金属氮化物薄膜；(4)镀膜后的硼硅玻璃通过第二预抽室，从第二预抽室离开镀膜设备；(5)从镀膜设备移出后的硼硅玻璃进行后续的低温退火处理，进一步降低薄膜的内应力并提高膜基界面结合力。