发明名称 | 多层次的输出共源共栅级 | ||
摘要 | 本发明涉及多层次的输出共源共栅极。一种在高参考电压、中间参考电压及低参考电压之一产生输出电压的功率级,包括:将输出端连接到所述高参考电压的第一开关级,包括沿它们的源极-漏路径串联连接的一对晶体管,第一晶体管耦合到所述输出端并具有在所述中间电压偏置的栅极,第二晶体管具有接收第一级控制信号的栅极,所述第一级控制信号在所述高参考电压和所述中间参考电压之间变化;将输出端连接到所述中间参考电压的第二开关级,具有接收第二级控制信号的栅极,所述第二级控制信号在所述高参考电压、所述中间参考电压和所述低参考电压之间变化;将输出端连接到所述低参考电压的第三开关级,具有沿它们的源极-漏路径串联连接的一对晶体管,第一晶体管耦合到所述输出端并具有在所述中间电压偏置的栅极,第二晶体管具有接收第三级控制信号的栅极,所述第三级控制信号在所述中间参考电压和所述低参考电压之间变化。 | ||
申请公布号 | CN104348435A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
申请号 | CN201410357377.2 | 申请日期 | 2014.07.25 |
申请人 | 亚德诺半导体集团 | 发明人 | 李丹 |
分类号 | H03F3/45(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/45(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
主权项 | 一种在高参考电压、中间参考电压及低参考电压之一产生输出电压的功率级,包括:将输出端连接到所述高参考电压的第一开关级,包括沿它们的源极‑漏路径串联连接的一对晶体管,第一晶体管耦合到所述输出端并具有在所述中间电压偏置的栅极,第二晶体管具有接收第一级控制信号的栅极,所述第一级控制信号在所述高参考电压和所述中间参考电压之间变化,将输出端连接到所述中间参考电压的第二开关级,具有接收第二级控制信号的栅极,所述第二级控制信号在所述高参考电压、所述中间参考电压和所述低参考电压之间变化;将输出端连接到所述低参考电压的第三开关级,具有沿它们的源极‑漏路径串联连接的一对晶体管,第一晶体管耦合到所述输出端并具有在所述中间电压偏置的栅极,第二晶体管具有接收第三级控制信号的栅极,所述第三级控制信号在所述中间参考电压和所述低参考电压之间变化。 | ||
地址 | 百慕大群岛(英)哈密尔顿 |