发明名称 晶片整合之压控可变电感,制造与调整此可变电感之方法,以及整合此可变电感之设计结构
摘要
申请公布号 TWI473238 申请公布日期 2015.02.11
申请号 TW098101836 申请日期 2009.01.17
申请人 万国商业机器公司 发明人 丁汉义;米纳衣伊萨姆F;伍兹伟恩H
分类号 H01L23/58 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种积体电路结构,包含:一晶片,该晶片包含一积体电路及一用于该积体电路之内部连结结构,该内部连结结构包含一第一金属化层、与该第一金属化层相异之一第二金属化层、与一接地电位耦接之一第一导电路径、及与该接地电位耦接之一第二导电路径;一电感之一信号线,该电感放置于该内部连结结构之该第一金属化层,该信号线与该积体电路电气耦接以通讯一电子信号;该电感之一第一接地线,该电感放置于该内部连结结构之该第一金属化层或该内部连结结构之该第二金属化层,该第一接地线位于靠近该信号线之处,该第一接地线具有一第一端及一相对于该第一端之第二端,该第一接地线之该第一端与该第一导电路径耦接,该第一接地线之该第二端与该第二导电路径耦接;以及包含于该积体电路之至少一个控制单元,该至少一个控制单元放置在该第一导电路径上,该至少一个控制单元系经组态以选择性地断接与接通该第一导电路径,其中当该第一导电路径被断接时,该信号线具有一第一电感值,且当该第一导电路径被接通时,该信号线具有一第二电感值,使得该第一接地线之该第一端藉由该第一导电路径与该接地电位耦接,且该第一接地线之该第二端藉由该第二导电路径与该接地电位耦接。
地址 美国