遮罩栅极沟槽技术中对蚀刻深度的测定

主权项

一种半导体装置晶圆，包括测试结构，其特征在于，所述的测试结构进一步包括：材料层，所述的材料层包括一个三角形测试区域，所述的测试区域至少位于半导体晶圆表层的一部分上；尺规，所述的尺规标识在接近于测试区域的半导体晶圆表面上；所述的尺规标识易于测量测试区域长度的改变。